- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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8 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CHANNE... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CH 20V X... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.4... |
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1 | 37,584 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.4... |
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1 | 37,584 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.4... |
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10,000 | 30,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V S... |
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1 | 160,462 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V S... |
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1 | 160,462 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V S... |
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10,000 | 140,000 | 加入购物车 提交询价 |
