- 系列：
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- 供应商器件封装：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 3.1... |
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 3.9... |
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 5A... |
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 5.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 9.9... |
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 11.... |
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.9... |
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 1.2... |
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 2.4... |
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.7... |
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 10.... |
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 7.8... |
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.1... |
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