- 零件状态：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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124 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 91A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 51A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-5 |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET SOT223-4 |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 1TO251-... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO262-3 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO262-3 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 19A... |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A... |
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Infineon Technologies | MOSFET 30V 25A POWE... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 30V 25A POWE... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 31A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 35A... |
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