- 封装/外壳：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 已选条件：
17 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 7A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 7A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 7A... |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 7A... |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 7A... |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN E S... |
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1 | 23 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 650V... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET E SERIES 6... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V TO... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET E SERIES 8... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET E SERIES 6... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 650V... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V |
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1 | 50 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET E SERIES 6... |
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1 | 9 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET E SERIES 6... |
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1 | 1,002 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET E SERIES 6... |
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1 | 1,020 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CHANNEL... |
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1 | 997 | 加入购物车 提交询价 |
