- 品牌：
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- IXYS (8)
- ON Semiconductor (5)
- Sanken (1)
- Transphorm (1)
- Vishay Siliconix (32)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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97 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 11A... |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 9.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 9A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 7A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 7A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5... |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5... |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5... |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5... |
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IXYS | POWER MOSFET TO-3 |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 9A... |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 9A... |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 10A... |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 9A... |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 4A... |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 4A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 4.1... |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 900V 6A... |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 900V 8A... |
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