功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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NX7002BKMBYL Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V SG...
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NX7002BKMBYL Nexperia USA Inc.
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NX7002BKMBYL Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V SG...
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PMBF170,235 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.3A...
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PMBF170,235 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.3A...
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BUK761R5-40EJ NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A...
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BUK9E8R5-40E,127 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A...
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BUK9E6R1-100E,127 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120...
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BUK9E4R9-60E,127 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A...
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BUK9E4R4-80E,127 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A...
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BUK9E3R7-60E,127 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A...
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BUK9E3R2-40E,127 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A...
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BUK9E2R8-60E,127 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A...
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BUK98150-55,135 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A...
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BUK98150-55,135 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A...
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BUK98150-55,135 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A...
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BUK961R4-30E,118 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A...
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BUK961R4-30E,118 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A...
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BUK961R4-30E,118 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A...
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BUK761R3-30E,118 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A...
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