功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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SQJ418EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 48A...
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SQJ418EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 48A...
¥7.98
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SQJ418EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 48A...
¥3.27
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SQJ415EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 40V ...
-
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SQJ415EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 40V ...
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SQJ415EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 40V ...
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SQJ423EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 55A...
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SQJ423EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 55A...
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SQJ423EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 55A...
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