供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
STD19N3LLH6AG STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 10A...
¥2.89
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STL8DN6LF6AG STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 32A...
¥4.01
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