- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 功率耗散(最大值):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 300... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 300... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
STMicroelectronics | MOSFET |
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8,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.3... |
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1 | 7,404 | 加入购物车 提交询价 | |||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.3... |
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2,000 | 6,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 0.3... |
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1 | 23,555 | 加入购物车 提交询价 | |||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 0.3... |
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2,000 | 22,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 300... |
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1 | 40,856 | 提交询价 | |||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 300... |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 300... |
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4,000 | 40,000 | 加入购物车 提交询价 |