- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
11 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5... |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 2.1... |
-
|
1 | 2,291 | 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 2.1... |
|
1 | 2,291 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 2.1... |
|
2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 2.1... |
|
1 | 3,696 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5... |
|
1 | 1,185 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 2.1... |
|
1 | 3,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5... |
|
1 | 9,580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5... |
-
|
1 | 4,971 | 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5... |
|
1 | 4,971 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5... |
|
2,500 | 2,500 | 加入购物车 提交询价 |
