- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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108 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3PI... |
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1 | 1,270 | 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3PI... |
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1 | 1,270 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3PI... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | 20V P CH MOSFET |
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1 | 750 | 提交询价 | ||
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Texas Instruments | 20V P CH MOSFET |
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1 | 750 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | 20V P CH MOSFET |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | 20-V P-CHANNEL FEM... |
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1 | 7,345 | 提交询价 | ||
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Texas Instruments | 20-V P-CHANNEL FEM... |
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1 | 7,345 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | 20-V P-CHANNEL FEM... |
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250 | 7,250 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | 20V P-CHANNEL FEMT... |
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1 | 18,957 | 提交询价 | ||
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Texas Instruments | 20V P-CHANNEL FEMT... |
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1 | 18,957 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | 20V P-CHANNEL FEMT... |
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3,000 | 15,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.7A... |
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1 | 13,342 | 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.7A... |
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1 | 13,342 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.7A... |
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3,000 | 9,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 5.9A... |
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1 | 8,419 | 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 5.9A... |
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1 | 8,419 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 5.9A... |
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250 | 7,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | 12V P-CHANNEL FEMT... |
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1 | 16,919 | 提交询价 | ||
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Texas Instruments | 12V P-CHANNEL FEMT... |
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1 | 16,919 | 加入购物车 提交询价 |
