供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
TPH4R606NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 32A...
¥6.47
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TK55S10N1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 55A...
¥9.30
2,000 2,000 加入购物车 提交询价
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