晶体管 - FET，MOSFET - 单

包装：

安装类型：

封装/外壳：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

5 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
TK58A06N1,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 58A...	¥10.59	1	50	加入购物车提交询价
TK58E06N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 60V 58A...	¥10.59	1	72	加入购物车提交询价
TPH1R403NL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 60A...	-	1	681	提交询价
TPH1R403NL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 60A...	¥11.62	1	681	加入购物车提交询价
TPH1R403NL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 60A...	¥4.28	5,000	580	加入购物车提交询价

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