晶体管 - FET，MOSFET - 单

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	TPH1110FNH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 250V 15A...		-	1	2,953	提交询价
	TPH6400ENH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 200V 21A...		-	1	18,559	提交询价

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