- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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35 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V( |
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5,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V( |
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5,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 120... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 120... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 120... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MV POWER MOS |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MV POWER MOS |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MV POWER MOS |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | 100V 300A 1.5MOHM TOL... |
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1 | 1,318 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | 100V 300A 1.5MOHM TOL... |
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1 | 1,318 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET_(75V,120V( |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2... |
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1 | 362 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2... |
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1 | 362 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | 80V 300A 1.4MOHM TOLL |
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1 | 1,808 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | 80V 300A 1.4MOHM TOLL |
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1 | 1,808 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | 80V 300A 1.4MOHM TOLL |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2... |
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1 | 411 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2... |
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1 | 411 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 |
