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晶体管 - FET，MOSFET - 单
安装类型：
底座安装
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功率耗散（最大值）：
1500W（Tc）
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1890W（Tc）
(1)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
192A（Tc）
(1)
210A（Tc）
(1)
已选条件：
晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 : HiPerFET™，Polar3™
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 14.5 毫欧 @ 105A，10V
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IXFB210N30P3
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
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IXFN210N30P3
IXYS
MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227
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