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晶体管 - FET，MOSFET - 单
安装类型：
底座安装
(1)
表面贴装
(1)
通孔
(1)
封装/外壳：
ISOPLUS264™
(1)
SOT-227-4，miniBLOC
(1)
TO-264-3，TO-264AA
(1)
供应商器件封装：
ISOPLUS264™
(1)
PLUS264™
(1)
SOT-227B
(1)
功率耗散（最大值）：
1500W（Tc）
(1)
1890W（Tc）
(1)
520W（Tc）
(1)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
108A（Tc）
(1)
192A（Tc）
(1)
210A（Tc）
(1)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
14.5 毫欧 @ 105A，10V
(2)
16 毫欧 @ 105A，10V
(1)
已选条件：
晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 : HiPerFET™，Polar3™
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） : 16200pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 268nC @ 10V
3 条记录
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IXFL210N30P3
IXYS
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MOSFET N-CH 300V 210...
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IXFN210N30P3
IXYS
MOSFET N-CH 300V 192...
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IXFL210N30P3
IXYS
MOSFET N-CH 300V 108A TO-264
库存 : 60
¥191.10
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IXFB210N30P3
IXYS
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
库存 : 34
¥166.58
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IXFN210N30P3
IXYS
MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227
库存 : 59
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