晶体管 - FET，MOSFET - 单

功率耗散（最大值）：

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

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图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	IXTT69N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 69A...		¥61.61	30	580	加入购物车提交询价
	IXTT64N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 64A...		¥40.22	30	580	加入购物车提交询价

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