- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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103 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 58A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 17... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 30A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 24A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 20A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 19A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 14... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 31... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 19A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 14... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 26... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 20... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 20... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 26... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 38A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 84A... |
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1 | 580 | 提交询价 |
