晶体管 - FET，MOSFET - 单

封装/外壳：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

6 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
TK10J80E,S1E	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 800V TO...	¥19.66	25	580	加入购物车提交询价
TK6A80E,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 800V TO...	¥14.95	1	50	加入购物车提交询价
TK7J90E,S1E	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 900V TO...	¥21.35	1	70	加入购物车提交询价
TK10A80E,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 800V TO...	¥19.14	1	108	加入购物车提交询价
TK9A90E,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 900V TO...	¥17.56	1	94	加入购物车提交询价
TK7A90E,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 900V TO...	¥13.36	1	74	加入购物车提交询价

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