零件状态:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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SISA16DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V D-S...
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SIRA36DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A...
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SIRA36DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIA477EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A...
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SIA477EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIA477EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIRA16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V D-S...
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SIRA16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V D-S...
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MOSFET N-CH 30V D-S...
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