- 品牌：
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- Diodes Incorporated (19)
- ON Semiconductor (8)
- Rohm Semiconductor (21)
- Vishay Siliconix (3)
- 零件状态：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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65 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 300M... |
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1 | 2,307 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 0.2A... |
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1 | 2,300 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 160M... |
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1 | 2,478 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 300M... |
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1 | 3,347 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 0.25... |
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1 | 2,308 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.1A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 0.11... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115M... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115M... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 0.2A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.1A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 200M... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 0.11... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH SGL 30... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.2A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 300M... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130M... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 0.2A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 115M... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170... |
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1 | 580 | 提交询价 |
