- 品牌：
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- IXYS (4)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 4A T... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 30A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 30A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IC GAN FET 600V 60A ... |
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1 | 638 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IC GAN FET 600V 60A ... |
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1 | 638 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IC GAN FET 600V 60A ... |
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800 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IC GAN FET 600V 60A ... |
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1 | 716 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IC GAN FET 600V 60A ... |
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1 | 716 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IC GAN FET 600V 60A ... |
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800 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IC GAN FET 600V 60A ... |
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1 | 609 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IC GAN FET 600V 60A ... |
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1 | 609 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IC GAN FET 600V 60A ... |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7A... |
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1 | 994 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7A... |
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1 | 994 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 500V 3A... |
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1 | 26 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A... |
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1 | 37 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 500V 3A... |
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1 | 218 | 加入购物车 提交询价 |
