- 品牌：
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- Diodes Incorporated (126)
- Infineon Technologies (112)
- NXP USA Inc. (7)
- ON Semiconductor (142)
- Rohm Semiconductor (111)
- Texas Instruments (15)
- Vishay Siliconix (64)
- 系列：
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- 工作温度：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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765 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.8A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.8A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.8A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 2.7A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 2.7A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 2.7A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.3A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.3A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.3A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.1A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.1A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.1A... |
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NXP USA Inc. | MOSFET P-CH 300V 0.1... |
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NXP USA Inc. | MOSFET P-CH 250V 0.2... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 300V 300... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 250V 310... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 250V 310... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 300... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 300... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 35V 3A ... |
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