漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI3477DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8A ...
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1 2,970 提交询价
SI3417DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8A ...
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1 19,088 提交询价
SI3421DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8A ...
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1 12,333 提交询价
SI3127DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 60V ...
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1 6,171 提交询价
SI3473CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8A ...
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1 31,250 提交询价
SI3483CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8A ...
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1 349,691 提交询价
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