- 品牌：
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- IXYS (3)
- ON Semiconductor (6)
- Vishay Siliconix (9)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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21 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 114... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 114... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 114... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 4A... |
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1 | 25 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 11A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 11A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 11A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 4A... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH PPAK ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH PPAK ... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH PPAK ... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IC GAN FET 600V 60A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IC GAN FET 600V 60A ... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IC GAN FET 600V 60A ... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 4A... |
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1 | 64 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N CH 600V 3.4... |
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1 | 1,460 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N CH 600V 3.4... |
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1 | 1,460 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N CH 600V 3.4... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 11A... |
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1 | 3,015 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 11A... |
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1 | 3,015 | 加入购物车 提交询价 |
