封装/外壳:
供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
BSZ0501NSIATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A...
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BSZ017NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 27A...
¥4.63
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BSZ0901NSATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V S30...
-
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BSZ0901NSATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V S30...
¥9.17
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BSZ0901NSATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V S30...
¥3.59
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BSZ050N03LSGATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A...
-
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BSZ050N03LSGATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A...
¥6.64
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BSZ050N03LSGATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A...
¥2.31
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BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A...
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BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A...
¥7.75
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BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A...
¥3.03
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BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A...
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BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A...
¥6.80
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BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A...
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