漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPB031NE7N3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A...
-
1 580 提交询价
IPB031NE7N3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A...
-
1 580 提交询价
FDB024N04AL7 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V D2P...
-
1 580 提交询价
FDB024N04AL7 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V D2P...
-
1 580 提交询价
IPB100N04S303ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A...
-
1 580 提交询价
IPB100N04S303ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A...
-
1 580 提交询价
IPB160N04S3H2ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A...
-
1 580 提交询价
IPB160N04S3H2ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A...
-
1 580 提交询价
1 / 1 页 共 8 条