- 零件状态：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
40 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGAC... |
|
1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGAC... |
|
240 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO... |
|
500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4V... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4V... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4V... |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
|
240 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
|
1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 |
