- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 80V 55A... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A... |
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1 | 938 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET TO263-3 |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET TO263-3 |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET TO263-3 |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET TO247-4 |
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1 | 190 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A... |
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1 | 220 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 18A... |
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1 | 6,434 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 18A... |
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1 | 6,434 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 18A... |
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2,500 | 5,000 | 加入购物车 提交询价 |
