- 品牌：
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- NXP USA Inc. (1)
- ON Semiconductor (5)
- 系列：
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- 零件状态：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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32 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 76A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 31A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 35A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 37A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
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240 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 31A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 31A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 120V 72A... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 35A... |
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1 | 1 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
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1 | 641 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
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1 | 641 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 80A... |
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1 | 288 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET TO247-4 |
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1 | 50 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A... |
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1 | 268 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A... |
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1 | 268 | 加入购物车 提交询价 |
