封装/外壳:
供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
DMN33D8LT-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 0.11...
-
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DMN33D8LT-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 0.11...
¥2.76
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DMN33D8LT-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 0.11...
¥0.35
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DMN33D8LT-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 0.11...
¥0.47
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SI1012CR-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 0.63...
-
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SI1012CR-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 0.63...
¥3.79
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SI1012CR-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 0.63...
¥0.82
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DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.59...
-
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DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.59...
¥2.92
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DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.59...
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