- 品牌：
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- IXYS (2)
- ON Semiconductor (17)
- 系列：
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- 零件状态：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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34 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 9.8... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21.... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 10A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 8A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24.... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 9.8... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | SUPERFET3 650V D2PA... |
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800 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 8.6... |
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450 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V-... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21.... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 30.... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 30.... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 30.... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24.... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | FET N-CHANNEL |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24.... |
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1 | 1 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | FET N-CHANNEL |
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1 | 89 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A... |
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1 | 979 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 8A... |
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1 | 709 | 加入购物车 提交询价 |
