零件状态:
供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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SI1422DH-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 4A ...
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SI1422DH-T1-GE3 Vishay Siliconix
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MOSFET N-CH 12V 4A ...
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SI1427EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2A ...
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SI1427EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2A ...
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SI1427EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2A ...
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SI1424EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4A ...
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SI1424EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4A ...
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SI1424EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4A ...
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SI1442DH-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 4A ...
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SI1442DH-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 4A ...
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SI1442DH-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 4A ...
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