供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.5...
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IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.5...
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IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.5...
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IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 950V 2A...
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IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 950V 2A...
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IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 950V 2A...
¥2.82
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SI4101DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 25.7...
-
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SI4101DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 25.7...
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SI4101DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 25.7...
¥2.77
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IPN80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL...
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IPN80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL...
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IPN80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL...
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