零件状态:
供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPB120N06N G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A...
-
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IPB77N06S212ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A...
-
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SPB77N06S2-12 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A...
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IPB77N06S212ATMA2 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A...
¥5.60
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IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A...
¥8.84
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