零件状态:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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IPB110N06L G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 78A...
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IPB110N06L G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 78A...
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IPB80N06S2L11ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A...
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IPB77N06S212ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A...
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SPB80N06S2L-11 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A...
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SPB77N06S2-12 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A...
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IPB77N06S212ATMA2 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A...
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IPB80N06S2L11ATMA2 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A...
¥5.34
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