晶体管 - FET，MOSFET - 单

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

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图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	TJ10S04M3L(T6L1,NQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 40V 10A...		¥3.87	2,000	580	加入购物车提交询价
	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 60V 8A ...		¥3.65	2,000	580	加入购物车提交询价

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