供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SIS429DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 20A...
¥1.09
6,000 580 加入购物车 提交询价
SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 10....
-
1 580 提交询价
SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 10....
¥5.37
1 580 加入购物车 提交询价
SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 10....
¥1.86
3,000 580 加入购物车 提交询价
TSM150P03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET P-CH 30V 36A...
-
1 4,473 提交询价
TSM150P03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET P-CH 30V 36A...
¥5.06
1 4,473 加入购物车 提交询价
TSM150P03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET P-CH 30V 36A...
¥1.50
5,000 580 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 7 条