零件状态:
供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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PSMN1R9-25YLC,115 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A...
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PSMN1R9-25YLC,115 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A...
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PSMN1R9-25YLC,115 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A...
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IPT60R102G7XTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 23A...
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IPT60R102G7XTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 23A...
¥45.87
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IPT60R102G7XTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 23A...
¥22.36
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PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A...
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PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A...
¥7.43
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PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A...
¥3.29
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