- 品牌：
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- ON Semiconductor (4)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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29 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 35A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 35A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 80V 35A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 35A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 35A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 35A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 35A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 35A... |
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30 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 35A... |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 35A... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 35A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 35A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 35A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 35A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | BUK7M11-40H/SOT1210/M... |
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Nexperia USA Inc. | BUK7M11-40H/SOT1210/M... |
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Nexperia USA Inc. | BUK7M11-40H/SOT1210/M... |
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1,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 35A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 35A... |
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1 | 53 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 35A... |
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1 | 79 | 加入购物车 提交询价 |
