- 品牌:
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- ON Semiconductor (19)
- STMicroelectronics (21)
- Vishay Siliconix (35)
- 系列:
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- 工作温度:
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- 安装类型:
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- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 功率耗散(最大值):
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- FET 类型:
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- 漏源电压(Vdss):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- Vgs(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 20A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 55V 30A... |
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3,000 | 580 | 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 55V 30A... |
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3,000 | 580 | 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 55V 30A... |
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2,000 | 580 | 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 5.5... |
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500 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 7A ... |
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4,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.4... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 19A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 19A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 19A... |
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5,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V LF... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 18A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 18A... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 20A... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 250V 2.2... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 54A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 54A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 54A... |
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1,700 | 580 | 加入购物车 提交询价 |