- 品牌：
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- NXP USA Inc. (3)
- Vishay Siliconix (4)
- 封装/外壳：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 1.9A... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 1.9A... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 1.9A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 1.9A... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.9A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 1.9A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 1.9A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 1.9A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 1.9A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 1.9A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 1.9A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 1.9... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A... |
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