系列:
封装/外壳:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SIA415DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A...
¥7.35
1 8,509 加入购物车 提交询价
DMN3052LSS-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 7.1A...
¥3.00
1 1,194 加入购物车 提交询价
SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.5A...
¥2.92
1 2,666 加入购物车 提交询价
RMW130N03TB -
MOSFET N-CH 30V 13A...
¥7.11
1 4,891 加入购物车 提交询价
SI4666DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 16.5...
¥7.04
1 3,287 加入购物车 提交询价
SQ7414AEN-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A...
¥6.96
1 11,164 加入购物车 提交询价
BUK6217-55C,118 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 44A...
¥6.88
1 3,958 加入购物车 提交询价
SIS439DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A...
¥5.93
1 5,460 加入购物车 提交询价
BUK6218-40C,118 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 42A...
¥5.93
1 6,418 加入购物车 提交询价
BUK6209-30C,118 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 50A...
¥5.45
1 11,988 加入购物车 提交询价
SI4833BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHANNEL...
¥5.37
1 2,500 加入购物车 提交询价
IPD60R800CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO...
-
1 580 提交询价
IPD60R650CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO...
-
1 580 提交询价
IPD60R460CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO...
-
1 580 提交询价
IPD60R400CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO...
-
1 580 提交询价
IPD60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO...
-
1 580 提交询价
IPD60R2K1CEBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO...
-
1 580 提交询价
SI8805EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V MIC...
-
1 580 提交询价
BUK9880-55,135 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 7.5A...
-
1 580 提交询价
BUK98150-55,135 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A...
-
1 580 提交询价
1 / 123 页 共 2454 条