供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPS105N03LGAKMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A...
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NTD4913N-35G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 32A...
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