- 封装/外壳:
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- 功率耗散(最大值):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- Vgs(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Texas Instruments | CSD16327Q3T |
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1 | 1,069 | 提交询价 | |||
Texas Instruments | CSD16327Q3T |
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1 | 1,069 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | CSD16327Q3T |
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250 | 1,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A... |
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1 | 15,402 | 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A... |
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1 | 15,402 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A... |
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2,500 | 12,500 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | 30V N-CHANNEL NEXF... |
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1 | 1,039 | 提交询价 | |||
Texas Instruments | 30V N-CHANNEL NEXF... |
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1 | 1,039 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | 30V N-CHANNEL NEXF... |
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250 | 750 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CHANNEL... |
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1 | 2,120 | 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CHANNEL... |
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1 | 2,120 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CHANNEL... |
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250 | 1,750 | 加入购物车 提交询价 |