供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
NP60N03KUG-E1-AY Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A...
-
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STD100NH02LT4 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 60A...
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STD100NH02LT4 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 60A...
¥19.06
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STD100NH02LT4 STMicroelectronics
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