零件状态:
安装类型:
封装/外壳:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
APTM120SK15G Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 60...
-
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APTM120DA15G Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 60...
-
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VMO60-05F IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A...
¥230.61
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IPW60R045CPAFKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 60A...
¥106.33
240 580 加入购物车 提交询价
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