功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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PSMN8R0-30YLC,115 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 54A...
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CSD18514Q5AT Texas Instruments
40V N-CHANNEL NEXF...
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CSD18514Q5AT Texas Instruments
40V N-CHANNEL NEXF...
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CSD18514Q5AT Texas Instruments
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CSD18514Q5A Texas Instruments
40V N CH MOSFET
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CSD18514Q5A Texas Instruments
40V N CH MOSFET
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CSD18514Q5A Texas Instruments
40V N CH MOSFET
¥2.73
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HAT2168H-EL-E Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A...
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MOSFET N-CH 30V 30A...
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