封装/外壳:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
HAT2287WP-EL-E Renesas Electronics America
MOSFET N-CH WPAK
-
1 580 提交询价
RJK2076DPA-00#J5A Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 20A...
¥9.29
3,000 580 加入购物车 提交询价
RJK1576DPA-00#J5A Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 150V WP...
¥10.68
3,000 580 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 3 条